Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare512 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMIFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellCuloare externăArgintMaximum
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDSSD Cooling MethodHeatsinkCuloare externăNegruMaximum Random Rea
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x30mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write Rate220
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare256 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate65000 IOPSMaximum Random Wri
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen4CertificariCE/UKCA/FCC/BSMI/KC/RCMTehnologia pentru memorie3D NANDSSD Cooling MethodHeatsinkCuloare externăNegruMaximum Random Rea
Locatie dispozitivInternFactor forma2.5" 7mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariCE, FCC, BSMITehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare2 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Ra
Locația dispozitivuluiPlug-in ModuleFactorul de formăM.2 22x80mmCapacitate de stocare1 TBSuporta canal de dateNVMe PCIe® Gen3Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Ra
Locatie dispozitivInternFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare480 GBSuporta canal de dateSATA III-600Rata de transfer extern a datelor sustinuta6 GbpsCertificariFCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, UKCATehnologia pentru memorieNAND FlashFl